一、锗三极管 　　(一)3ＡＸ系列三极管 　　1964年5月，齐齐哈尔北方无线电厂唐明孝、付本礼、姜淑娟等试制成功锗低频小功率三 极管3ＡＸ1-5系列产品，经四机部鉴定，批量投产。在此基础上，1966年进一步扩大产量， 增加品种，新投产3ＡＸ21-25、3ＡＸ31、3ＡＸ44和3ＡＸ71，大批量生产，为军工产品配套。 1965年四机部调给一条锗小功率晶体管半自动生产线的全套制管设备，1968年生产线正式投 入运行，年产能力120万只。到1970年初3ＡＸ已能全系列生产，得到东北无线电器材公司的 质量认可。1970年4月我国发射的第一颗人造地球卫星使用了3ＡＸ产品，受到国防科委、四 机部的嘉奖。3ＡＸ系列产品1965～1976年生产近119万只，销售88.3万只。在采用自动线生 产后，需要氢气，由于没有氢气站而采用液态氨制氢，纯度低，直接影响产品质量，因此齐 齐哈尔北方无线电一厂的3ＡＸ系列产品于1977年停产。 　　1970年牡丹江市晶体管厂(牡丹江无线电五厂前身)派人到哈尔滨晶体管厂学习后，1～5 月试制成功锗低频小功率三极管3ＡＸ31，当年投产，生产2万只。1976年年产量增加到21万 只，以后逐年增加产量，1978年生产45.7万只。从1970年5月投产，到1982年4月停产，累计 产量761万只，创产值750万元，利税50万元。3ＡＸ31主要用于收音机音频放大，在1975～1981 年曾为黑龙江无线电一厂、哈尔滨无线电四厂、曙光无线电厂等供货，每年用量50～100万只， 北京、上海等一些厂家也小批量用过此产品。由于黑龙江省半导体收音机的滞销，加之牡丹 江晶体管厂品种单一，生产工艺落后，成本高，缺乏竞争能力，经过牡丹江市计委批准，晶 体管厂1983年正式关闭。 　 (二)　3ＡＧ系列三极管 　　1964年8月齐齐哈尔北方无线电厂建厂开始就试生产锗合金扩散管，当时用苏联标准，型 号为П401-П404。主要试制人员有苗德全、赵文瑞、杨秀茹等，年产量1 600多只。1966年 以后产品改名为国标3ＡＧ11-14，为高频小功率管，具有较好的频率特性，特征频率≥30兆 赫。3ＡＧ产品从1964年开始至1970年，一直保持稳定递增的生产形势，到1970年，品种已达 6个。1970年4月,3ＡＧ11-14用于我国第一颗人造地球卫星，收到四机部及国务院的贺电和嘉 奖。此期间，用户对产品质量反映良好，产量较大，到1975年累计产量151.22万只，总销售 额150多万元。1976年3ＡＧ产品趋向饱和，产量大幅下降。1977年以后产量又逐渐回升，到 1985年共生产301.26万只。 　　1963～1975年，哈尔滨晶体管厂也生产过3ＡＧ三极管。哈尔滨市半导体研究所，1966年 9月派人到锦州晶体管厂学习后也生产3ＡＧ，1973年将此产品移交给红岩晶体管厂，1980年 两厂合并。鹤岗晶体管厂1966～1969年，也生产了3ＡＧ三极管10万多只。
　　　　二、硅三极管 　　(一)3ＤＧ高频三极管 　　Ｊ3ＤＧ110-111系列。1969年下半年，齐齐哈尔北方无线电一厂为航天工业、军事通信 装备和7011工程7011工程是黑龙江省承担的军队用卫星地面接收站设备。配套，先后研制了 硅高频小功率Ｊ3ＤＧ100-111、系列三极管，1970年产品定型并投产。Ｊ3ＤＧ100-111、Ｊ3ＤＫ 系列三极管，用于电子设备的高频、中频放大和振荡电路。Ｊ3ＤＫ2-7系列用于开关电路。 到1985年共生产92万只，销售额105万元 。产品销往辽宁、北京等20几个地区，经用户使用， 质量可靠，符合要求。 　Ｊ3ＤＧ401-409三极管。根据市场需求，1972年齐齐哈尔北方无线电一厂研制了硅高频 高反压小功率Ｊ3ＤＧ401-409三极管。这种三极管用于电子设备开关高频放大与振荡电路。 在试制初期击穿特性曲线容易产生漂移现象，后采用氯化氢钝化和多次磷合金处理，解决了 难题，产品得到用户的好评。1972年生产定型，到1985年累计产量24万只，销售额45万元。 　3ＤＧ201-202系列三极管。根据国产收音机、录音机降低成本的需求，1976年齐齐哈尔 北方无线电一厂研制了硅高频小功率塑封3ＤＧ201-202系列三极管，用于变频、中频放大， 具有高增益、低噪声的特点。1976年生产定型，到1985年累计产量600万只。产品销往大连、 沈阳等20几个城市、地区，销售额180万元。1979年由于部分生产环节管理不严，操作者忽视 了蒸铝前用稀氢氟酸漂片，致使引线孔内残留微薄二氧化硅，造成基极—发射极饱和压降偏 大，损失20万只管芯。经过加强思想教育和严格工艺管理，提高了产品质量。1984年参加全 国28个单位器件评比获二等奖。 　 3ＤＧ79三极管。为给电视机配套，齐齐哈尔北方无线电一厂自筹资金研制硅超高频低噪 声3ＤＧ79三极管，1979年生产定型，到1983年累计产量20万只，销售额25万元。3ＤＧ79用 于高频放大及振荡电路，特征频率≥700兆赫，噪声系数　≤4分贝，功率增益≥16分贝，技 术指标超过部标，用户反映较好。因批量小，成本高，1984年停止生产。 　　鹤岗晶体管厂1970～1975年曾生产3ＤＧ三极管16.1万只。 　 (二)3ＤＫ系列硅外延平面开关三极管 　　1968年夏，国内各单位在研制开关电源时急需用作调整开关的大功率三极管。当时国内 只能生产频率特性差的3ＡＤ锗低频管和3ＤＤ硅低频管，不能满足开关电源技术要求。根据 四机部第十研究院、南京电子技术研究所、华北计算技术研究所和北京有线电厂的需要，哈 尔滨晶体管厂自筹经费，由曹国良、陆明惠、刘光宇等，在1969年先后研制成3ＤＫ12、3ＤＫ32、 3ＤＫ33三极管送用户试用，技术达到国内先进水平，1973年通过鉴定，达到国外同类产品的 水平，填补了国内功率器件的空白。 　　3ＤＫ硅外延平面大功率高速开关三极管主要性能：集电极最大允许电流5～20安培，最 大耗散功率50～100瓦，具有开关速度快、饱和压降小、频率特性好、放大系数均匀等特点。 1980～1984年曾为我国发射运载火箭和实验通信卫星提供该产品。3ＤＫ12、32、33等三极管 虽然开关速度快，但易导致二次击穿，因此不能适应各种新设计的电源设备对晶体管输出功 率不断提高的要求，致使需要量减少。1972～1985年累计产量7.42万只，产值2 000万元，利 润800万元。 　　齐齐哈尔北方无线电一厂，1970～1985年生产3ＤＫ小功度开关管26.6万只。 　 (三)3ＤＢ雪崩三极管 　　1973年哈尔滨市半导体研究所根据哈尔滨电子仪器厂的需要和市电子仪表工业局下达的 研制任务，研制3ＤＢ雪崩三极管。主要研制人员有郑淳景、殷德生等10人。在研制过程中几 次更换人员。经过失败，终于成功，1981年开始小批量生产，1982年通过鉴定。经四机部电 子器件工业总公司主持由32个单位的54位工程技术人员、专家和教授鉴定，确认3ＤＢ雪崩三 极管性能已达到美国同类产品水平，填补了国内空白，打破了外国的技术封锁，可为国家节 约大量外汇。 　　3DB雪崩三极管3ＤＢ雪崩三极管利用集电极雪崩击穿原理而制成。当反向电压超过允许 值时，集电极雪崩击穿，电流较均匀地产生在ＰＮ结上，可减少器件被过压击穿而损坏的可 能性，因此可靠性高，主要用于激光、雷达和高频示波器、扫频仪、超声波发生器、遥感仪 器等电子设备上。产品参数规范系参照国际标准制定，经中国科学院计算机技术研究所、南 京长江机器制造厂、秦安庆华仪器厂、上海无线电二十一厂、哈尔滨电子仪器厂等数十个单 位多年使用，性能稳定可靠。1981～1985年累计生产近2万只，销售额37.87万元。1983年获 全国“优秀新产品金龙奖”、电子工业部科技成果二等奖、省企业标准科技成果三等奖，评 为省优质产品,1985年评为电子工业部优质产品。
　　　　(四)ＴＦ301-306三极管 　　1974年齐齐哈尔北方无线电一厂研制硅高频小功率三极管ＴＦ301-306系列，用于电子设 备变频、高频中频放大及振荡电路。1974年生产定型至1981年累计产量90.33万只，销售额20 万元。1982年停产。