在一种衬底上外延生长硅的工艺是大部分硅晶体管、集成电路均采用的工艺。采用外延 生长工艺，可使晶体管饱和电压降低，并可获得少数载流子存储时间短的高频特性。哈尔滨 晶体管厂为本厂生产平面工艺晶体管和为一些科研、生产单位的需要，购置了外延设备。1969 年由苗树贤，年福谦、魏其新组成试制组,试制成功硅外延片。其技术参数平方厘米电阻率0.5～8欧 (姆)，层错小于100个(密度)，位错小于1 000个(密度)，片子厚度10～15微米，片子规格为 6×8、8×8、12×12毫米3种。其技术性能达到当时国内先进水平。1970年生产定型，累计生 产20万片。1981年车间火灾后停产。 　　1981年，曙光无线电厂根据本厂生产半导体器件及对外供货的需要，开始着手专业化、 大批量生产外延片。1981年5月与哈尔滨工业大学协作，由叶以正、周士仁(副教授)和工厂周 卫东、朴青松、高扬等组成技术攻关组，经过两年实验，采用在衬底背面扩磷和迁移生长一 层缺陷层的工艺方法，制成一种有磷和缺陷两种吸杂机制的“双重吸杂ｎ／ｎ+”硅外延片。 此外延片有较强的吸杂能力，微缺陷密度低，一般小于103／ｃｍ2，宏观上是完全亮片，少 数载流子寿命长，一般在20微秒以上。经哈尔滨、上海、重庆、杭州、丹东等地20余厂家在 近30种器件试用，均具有漏电流小、抗二次击穿耐量高、β值均匀、容易控制、电参数一致 性好等特点，在国内外均属首创。1982年9月生产定型后，投入大批量生产，年产能力100万 标准片。到1985年共生产227万标准片，利润率为9%。1982年获省科技成果二等奖；1985年获 国家技术进步三等奖。1983年评为省优质产品。