1958年8月，哈尔滨新生开关厂刘文林制成硫铝还原多晶硅，纯度为99．98%。何德和等 4人研制成点接触式锗检波二极管。随后，又相继制成锗小功率三极管。该厂于1959年12月， 成立了半导体材料研究室，他们采用氢还原法制取硅单晶材料获得成功。
　　　　黑龙江省半导体敏感技术的开发比日本只晚三年，在国内起步较早。1973年开始，黑龙 江大学郑群国与通江晶体管厂孙吉安等，合作研制成全国第一只锗磁敏二极管2ACM。1975年 12月27日，通过省级鉴定。随后，黑龙江大学黄得星、温殿忠、郑群国、石永明和通江晶体 管厂协作研制成2DCM硅磁敏二极管、3BCM锗磁敏三极管，1978年同时获国家和黑龙江省科学 大会奖。
　　　　1974年，哈尔滨晶体管厂研制成功半导体制冷材料和电堆。同年，齐齐哈尔北方无线电 一厂生产的3AK9开关三极管可靠性达到6级水平。
　　　　1975年，哈尔滨晶体管厂根据第四机械工业部计划，由张京俊、丁原秦等研制的SBD系列 大电流（5～50安培）肖特基开关二极管，具有开关速度快、正向压降低、转换效率高等特点 ，于1980年8月25日鉴定。1982年，又研制成功3CD系列硅PNP型低频大功率管；哈尔滨特种元 件器件厂1982年由殷德生、郑淳景等研制成功3DB硅雪崩三极管，达到美国同类产品水平，填 补了国内空白。上述三项均获第四机械工业部科技成果二等奖。
　　　　1976年，通江晶体管厂张伟等研制成功直热式气敏管。第四机械工业部第四九研究所， 原主要从事电子元件的研究，1980年转为敏感元器件专业研究所。该所研制成功的钽电容器 为国家战略武器工程配套作出贡献。1981年，研制的22法拉双电层电容器，已达到国际先进 水平。
　　　　1980年，曙光无线电厂与哈尔滨工业大学合作，针对新技术发展的需要，开发了新的硅 单晶外延片。由叶以正、周卫东等研制成双吸除硅N／N（＋）外延片。双吸除技术是“外吸 除”技术中的一项创新。该工艺巧妙地利用Si—CL—H系统所产生的歧化反应，在硅单晶片背 面形成具有高缺陷密度的硅单晶层与浓磷扩散层有双重吸除有害杂质作用的技术机构，与国 外采用的POGO技术比较，具有工艺简单、造价低廉等优点，可制得无雾状微缺陷的全亮片。 对提高产品的质量，提高成品率有显著作用。1982年9月17日，通过省级鉴定，获黑龙江省优 秀科技成果二等奖。1985年获国家科技进步三等奖。
　　　　1981年，第四机械工业部第四九研究所由董恩沛等组成研究小组，先后研制成体积小、 容量大的多种型号电容器，基中CS11型，容量上限达10法拉。CS12型工作电压为直流5伏，标 称容量0．68～2．2法拉，体积只有Φ30×31．5毫米。上述产品可用作各种小功率电源的辅 助电源及不停电电源。1981年10月，由部主持鉴定，各项指标达到国际先进水平。获第四机 械工业部优秀科技成果奖。CS13型，1982年12月，由部主持鉴定，获第四机械工业部科技成 果一等奖。1982年1月，该所根据第四机械工业部计划，由王书运等研制的新型固体化学元件 DJ—1型电位记忆元件，具有积分和记忆功能。其电容量100、150微安·亨，容量精度小于± 10%，输出电压120毫伏，48小时保持电位变化小于±0．3毫伏，其负温使用范围、高低温容 量变化和体积等均处于国际领先水平。1984年获电子工业部科技成果一等奖。
　　　　1985年，全省有19个单位从事敏感技术的研制与开发，在磁敏、气敏、力敏、温敏、湿 敏、烟敏、酒敏、化学敏、离子敏、生物敏等方面均有成果。并在敏感元器件、传感器、敏 感技术测试仪等方面协调发展。黑龙江大学黄得星研制的3CCM硅磁敏三极管，获国家发明三 等奖。四九所研制的ML41型硅蓝宝石应变片，获电子工业部科技成果一等奖，其GYB—1型水 波压力传感器、GJL—1型硅蓝宝石加速度传感器、GYC—1型高输出加速度传感器，省电子研 究所的XJB荷重传感器，通江晶体管厂的SMCK1型湿度传感器等均获电子工业部科技成果二等 奖。鹤岗半导体材料厂与哈尔滨工业大学教授周仕仁协作研制成功的磁场直拉硅单晶，填补 了国内空白，质量达到国际先进水平。